سامسونج: أول شريحة 3nm في العالم
في المؤتمر الدولي الأخير للدوائر الصلبة IEEE ISSCC ، رقائق 3nm! وقد تكبير سامسونج في، وسامسونج قد أشعلت بنجاح معركة رقاقة في جميع أنحاء العالم. في المؤتمر، أطلقت سامسونج أول شريحة ذاكرة SRAM تم تصنيعها من خلال عملية 3nm، مما دفع عملية أشباه الموصلات إلى مرحلة جديدة مرة أخرى. شريحة الذاكرة SRAM عملية 3nm من سامسونج لديه قدرة 256GB ومساحة 56 ملليمتر مربع فقط. تحسين الأداء بنسبة 30٪ وخفض استهلاك الطاقة بنسبة 50٪. ومن المتوقع أن يتم إنتاجه رسميا على نطاق واسع في عام 2022. اعتمدت سامسونج تقنية ترانزستور جديدة على رقاقة عملية 3nm ، واستخدمت تقنية GAA لحل سلسلة من المشاكل مثل توليد الحرارة واستهلاك الطاقة المفرط الذي واجهه سابقا في عملية 5nm. تكنولوجيا GAAFET أكثر إحكاما في الترتيب ويمكن أن تستوعب المزيد من الترانزستورات ، لذلك سيتم تقليل منطقة الشريحة المقابلة ، إلى جانب سيطرتها الأكثر دقة على التيار عبر القنوات ، ومن المتوقع أن تحقق القيادة التكنولوجية.
تأسست Baiqiancheng في عام 2003 ، وتشارك في تصدير لوحات PCBA ، مع التركيز على خدمات ODM ، والتصميم المشترك مع العملاء ، ومساعدة العملاء على اختيار النماذج ، وتغيير التصميم. ميزتنا الأساسية هي أن لدينا فريق مشتريات محترف ، ولدينا مكونات عالية الجودة. يمكن أن تساعد قناة شراء الرقائق العملاء في العثور على مواد ذات سعر مرتفع وجودة عالية ، وتوفير التكاليف للعملاء وتقصير وقت التسليم.
